四象限探测器(QP)
产品名称： 四象限探测器(QP)
英文名称： QP
产品编号： first sensor
产品价格： 0
产品产地： 德国
品牌商标： first sensor
更新时间： null
使用范围： null
杭州新势力光电技术有限公司
- 联系人 :
- 地址 : 中国浙江省杭州市西湖区西溪世纪中心2号楼828室
- 邮编 : 310030
- 所在区域 : 浙江
- 电话 : 153****7810
- 传真 : 0571-85152722
- 邮箱 : Sales@NewOpto.com
四象限探测器(QP)
新势力光电供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。
Quadrant photodiodes (low dark current)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
850nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP1-6
TO52
Ø1.13
4×0.25
0.1
20
QP5-6
TO5
Ø2.52
4×1.25
0.2
20
QP5.8-6
TO5
2.4×2.4
4×1.45
0.4
20
QP10-6
TO5
Ø3.57
4×2.5
0.5
20
QP20-6
TO8S
Ø5.05
4×5
1
30
QP50-6
TO8S
Ø7.8
4×12.5
2
40
QP50-6
TO8S flat
Ø7.8
4×12.5
2
40
QP100-6
LCC10G
Ø11.2
4×25
4
40
QP100-6
LCC10S
Ø11.2
4×25
4
40
Quadrant photodiodes (fully depletable)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
905nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP100-7
LCC10G
10×10
4×25
2
50
Quadrant photodiodes (for 1064nm)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
150V
1064nm 150V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP22-Q
TO8S
Ø5.3
4×5.7
1.5
12
QP45-Q
TO8S
6.7×6.7
4×10.96
8
12
QP45-Q
LCC10G
6.7×6.7
4×10.96
8
12
QP100-Q
LCC10G
10×10
<, DIV align=center>4×25
6.5
12
QP154-Q
TO1032i
Ø14.0
4×38.5
10
12
QP154-Q
TO1081i
Ø14.0
4×38.5
10
12
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新势力光电供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。
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Quadrant photodiodes (low dark current)
|
|||||
|
Type No.
|
Active area
|
Dark current
|
Rise time
|
||
|
Chip
|
Package
|
Size
|
Area
|
10V
|
850nm 10V 50Ω
|
|
mm
|
mm2
|
nA
|
ns
|
||
|
QP1-6
|
TO52
|
Ø1.13
|
4×0.25
|
0.1
|
20
|
|
QP5-6
|
TO5
|
Ø2.52
|
4×1.25
|
0.2
|
20
|
|
QP5.8-6
|
TO5
|
2.4×2.4
|
4×1.45
|
0.4
|
20
|
|
QP10-6
|
TO5
|
Ø3.57
|
4×2.5
|
0.5
|
20
|
|
QP20-6
|
TO8S
|
Ø5.05
|
4×5
|
1
|
30
|
|
QP50-6
|
TO8S
|
Ø7.8
|
4×12.5
|
2
|
40
|
|
QP50-6
|
TO8S flat
|
Ø7.8
|
4×12.5
|
2
|
40
|
|
QP100-6
|
LCC10G
|
Ø11.2
|
4×25
|
4
|
40
|
|
QP100-6
|
LCC10S
|
Ø11.2
|
4×25
|
4
|
40
|
|
Quadrant photodiodes (fully depletable)
|
|||||
|
Type No.
|
Active area
|
Dark current
|
Rise time
|
||
|
Chip
|
Package
|
Size
|
Area
|
10V
|
905nm 10V 50Ω
|
|
mm
|
mm2
|
nA
|
ns
|
||
|
QP100-7
|
LCC10G
|
10×10
|
4×25
|
2
|
50
|
|
Quadrant photodiodes (for 1064nm)
|
|||||
|
Type No.
|
Active area
|
Dark current
|
Rise time
|
||
|
Chip
|
Package
|
Size
|
Area
|
150V
|
1064nm 150V 50Ω
|
|
mm
|
mm2
|
nA
|
ns
|
||
|
QP22-Q
|
TO8S
|
Ø5.3
|
4×5.7
|
1.5
|
12
|
|
QP45-Q
|
TO8S
|
6.7×6.7
|
4×10.96
|
8
|
12
|
|
QP45-Q
|
LCC10G
|
6.7×6.7
|
4×10.96
|
8
|
12
|
|
QP100-Q
|
LCC10G
|
10×10
|
<, DIV align=center>4×25
|
6.5
|
12
|
|
QP154-Q
|
TO1032i
|
Ø14.0
|
4×38.5
|
10
|
12
|
|
QP154-Q
|
TO1081i
|
Ø14.0
|
4×38.5
|
10
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